130 nanómetros

Procesos de ; fabricación de ; semiconductores
	10.000 nm – 1971; 3.000 nm – 1975; 1.500 nm – 1982; 1.000 nm – 1985; 800 nm – 1989; 600 nm – 1994; 350 nm – 1995; 250 nm – 1997; 180 nm – 1999; 130 nm – 2002; 90 nm – 2004; 65 nm – 2006; 45 nm – 2008; 32 nm – 2010; 22 nm – 2012; 14 nm – 2014; 10 nm – 2016; 7 nm – 2018; 5 nm – 2020;
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130 nanómetross se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos entre los años 2002 y 2003 por las principales empresas de ese sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, IBM, Texas Instruments y la taiwanesa TSMC.

Asimismo, la tecnología de proceso de 45 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados se incrementa a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo).

Productos fabricados con la tecnología de proceso de 130 nm editar

La siguiente es una lista de versiones de series de microprocesadores, en muchos casos incluyendo sus respectivas fechas de lanzamiento al mercado:

Motorola PowerPC (Performance Optimized With Enhanced RISC, “Rendimiento optimizado con RISC mejorado”), en sus versiones G4 7447 y 7457 - 2002
IBM PowerPC G5 970 – octubre de 2002 – junio de 2003
Intel Pentium III (Tualatin), con una caché L2 de 512 kiB montada sobre el núcleo de la CPU y a la misma velocidad que éste (on die) – abril de 2001
Intel Celeron (Tualatin-256), con 256 kiB de caché on die (al igual que el anterior Pentium III Coppermine de 180 nanómetros) - 2 de octubre de 2001
Intel Pentium M (Banias) – 12 de marzo de 2003)
Intel Pentium 4 (Northwood)- 7 de enero de 2002
Intel Celeron (Northwood-128) – 18 de septiembre de 2002
Intel Xeon Prestonia y Gallatin, habiendo sido este último la base para el Pentium 4 EE (Extreme Edition) – 25 de febrero de 2002
AMD Athlon XP Thoroughbred, Thorton (con una caché L2 de 256 kiB) y Barton (con una caché L2 de 512 kiB)
AMD Athlon MP (Thoroughbred) – 27 de agosto de 2002.
AMD Athlon XP-M (Thoroughbred, Barton y Dublin)
AMD Duron (Applebred), 21 de agosto de 2003.
AMD K7 Sempron Thoroughbred-B, Thorton y Barton.
AMD K8 Sempron (Paris) – 28 de julio de 2004
AMD Athlon 64 (Clawhammer) y (Newcastle) – 23 de septiembre de 2003
AMD Opteron (Sledgehammer) - 30 de junio de 2003
Elbrus E2K 1891ВМ4Я (1891VM4YA) – 27 de abril de 2008 [1]
MCST R-500S 1891BM3 – 27 de julio de 2008 [2]
VIA C3 - 2001
Vortex 86SX - [3]

Véase también editar

Fotolitografía

Enlaces externos editar

Esta obra contiene una traducción derivada de «130 nanometer» de Wikipedia en inglés, publicada por sus editores bajo la Licencia de documentación libre de GNU y la Licencia Creative Commons Atribución-CompartirIgual 4.0 Internacional.

Datos: Q775523

Procesos de fabricación de semiconductores
10.000 nm – 1971 3.000 nm – 1975 1.500 nm – 1982 1.000 nm – 1985 800 nm – 1989 600 nm – 1994 350 nm – 1995 250 nm – 1997 180 nm – 1999 130 nm – 2002 90 nm – 2004 65 nm – 2006 45 nm – 2008 32 nm – 2010 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020
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