32 nanómetros

Procesos de ; fabricación de ; semiconductores
	10.000 nm – 1971; 3.000 nm – 1975; 1.500 nm – 1982; 1.000 nm – 1985; 800 nm – 1989; 600 nm – 1994; 350 nm – 1995; 250 nm – 1997; 180 nm – 1999; 130 nm – 2002; 90 nm – 2004; 65 nm – 2006; 45 nm – 2008; 32 nm – 2010; 22 nm – 2012; 14 nm – 2014; 10 nm – 2016; 7 nm – 2018; 5 nm – 2020;
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32 nanómetros (32nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 32 milmillonésima parte de un metro.^[1]

Visión general editar

Actualmente, su uso está destinado sobre todo, a la fabricación microprocesadores CMOS.

Microprocesadores editar

Familia Intel editar

Familia AMD editar

Historia editar

Predecesor editar

Artículo principal: 45 nanómetros

45 nanómetros (45nm) era la anterior tecnología de fabricación de semiconductores.

Sucesor editar

Artículo principal: 22 nanómetros

22 nanómetros (22nm) sustituye a los 32nm como la tecnología de fabricación de semiconductores, siguiendo de acuerdo al International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).

Referencias editar

↑ Prefijos del Sistema Internacional

Datos: Q2652244

[1] Prefijos del Sistema Internacional

[1]

Procesos de fabricación de semiconductores
10.000 nm – 1971 3.000 nm – 1975 1.500 nm – 1982 1.000 nm – 1985 800 nm – 1989 600 nm – 1994 350 nm – 1995 250 nm – 1997 180 nm – 1999 130 nm – 2002 90 nm – 2004 65 nm – 2006 45 nm – 2008 32 nm – 2010 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020
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