Diferencia entre revisiones de «Fotolitografía»

162 bytes añadidos ,  hace 3 años
Rescatando 1 referencia(s) y marcando 0 enlace(s) como roto(s) #IABot (v1.6.5)
m (Desambiguando enlaces a Retículo (enlace cambiado a Retículo (pieza)) con DisamAssist.)
(Rescatando 1 referencia(s) y marcando 0 enlace(s) como roto(s) #IABot (v1.6.5))
La capacidad para imprimir imágenes claras depende de la [[longitud de onda]] empleada en la proyección. Los fuentes de luz actuales emplean longitudes de onda en el rango del [[ultravioleta profundo]] (DUV), es decir, de longitudes de onda que varían entre los 248 y 193 nanómetros. Estas longitudes de onda permiten una capacidad de discernimiento de detalles de como máximo 50 nanómetros. Para reducir este límite de impresión por debajo de los 50 nm se necesitan de otras técnicas basadas en luz de 193 nm, así como técnicas de inmersión en líquidos ([[litografía por inmersión]]).
 
Las herramientas que emplean longitudes de onda de 157&nbsp;nm DUV actúan de una forma similar a los sistemas actuales de exposición. En [[2006]] la empresa [[IBM]] logró litografiar detalles menores de 30&nbsp;nm.<ref>{{Cita web | nombre=Aaron | apellido=Hand | título=High-Index Lenses Push Immersion Beyond 32 nm | url=http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6319061 | urlarchivo=https://web.archive.org/web/20150929113253/http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6319061 | fechaarchivo=29 de septiembre de 2015 }}</ref> Otras técnicas empleadas hoy en día caen dentro del campo de la [[nanolitografía]].
 
== Véase también ==
1 572 926

ediciones