Diferencia entre revisiones de «Transistor de efecto campo»

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{{Ficha de componente electrónico|componente=Transistor de efecto campo|foto=ATI Radeon X1650 Pro - Alpha & Omega Semiconductor D414-4362.jpg|foto_comentario=Un transistor de efecto campo en una [[tarjeta de video]].|invencion=Julius Edgand(1951)|principio_de_funcionamiento=Efecto de campo|simbolo=[[Archivo:JFET N-dep symbol (case).svg|120px]] [[Archivo:JFET P-dep symbol (case).svg|120px]]
Canal N (izquierda) Canal P (derecha)|terminales=Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)|tipo=[[Semiconductor]]}}
El '''transistor de efecto campo''' (''Field-Effect Transistor'', en inglés) es un [[transistor]] que usa el [[campo eléctrico]] para controlar la forma y, por lo tanto, la [[Conductividad eléctrica|conductividad]] de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como '''transistor unipolar'''. Es un [[semiconductor]] que posee tres terminales, denominados puerta (''gate''), drenaje (''drain'') y fuente (''source''). La puerta es el terminal equivalente a la base del [[Transistor de unión bipolar|transistor BJT]] (''Bipolar Junction Transistor''), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como los [[transistor bipolar|transistores bipolares]] se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.