Diferencia entre revisiones de «Transistor de efecto campo»
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Canal N (izquierda) Canal P (derecha)|terminales=Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)|tipo=[[Semiconductor]]}}
El '''transistor de efecto campo''' (''Field-Effect Transistor'', en inglés) es un [[transistor]] que usa el [[campo eléctrico]] para controlar la forma y, por lo tanto, la [[Conductividad eléctrica|conductividad]] de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como '''transistor unipolar'''. Es un [[semiconductor]] que posee tres terminales, denominados puerta (''gate''), drenaje (''drain'') y fuente (''source''). La puerta es el terminal equivalente a la base del [[Transistor de unión bipolar|transistor BJT]] (''Bipolar Junction Transistor''), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal-n y los de canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.
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{{Artículo principal|Transistor|l1=Transistor|Historia del transistor|l2=Historia del transistor}}
El físico austro-húngaro [[
En 1948, fue patentado el primer [[transistor]] de contacto de punto por el equipo de los estadounidenses [[Walter Houser Brattain]] y [[John Bardeen]]<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2524035.pdf|título=Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials|fechaacceso=13 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref> y de manera independiente, por los alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la ''Compagnie des Freins et Signaux'', una subsidiaria francesa de la estadounidense [[Westinghouse Electric|Westinghouse]], pero al darse cuenta éstos últimos de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.<ref>{{Cita web|url=http://www.computerhistory.org/siliconengine/the-european-transistor-invention/|título=1948: The European Transistor Invention|fechaacceso=7 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=Computer History Museum}}</ref>
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