Diferencia entre revisiones de «Transistor de efecto campo»

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{{Ficha de225252525525de componente electrónico|componente=Transistor de efecto campo|foto=ATIrodolfo ATI Radeon X1650 Pro - Alpha & Omega Semiconductor D414-4362.jpg|foto_comentario=Un transistor de efecto campo en una [[tarjeta de video]].|invencion=Julius Edgand(1951)|principio_de_funcionamiento=Efecto de campo|simbolo=[[Archivo:JFET N-dep symbol (case).svg|120px]] [[Archivo:JFET P-dep symbol (case).svg|120px]]
Canal N (izquierda) Canal P (derecha)|terminales=Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)|tipo=[[Semiconductor]]}}
El '''transistor de efecto campo''' (''Field-Effect Transistor'', en inglés) es un [[transistor]] que usa el [[campo eléctrico]] para controlar la forma y, por lo tanto, la [[Conductividad eléctrica|conductividad]] de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como '''transistor unipolar'''. Es un [[semiconductor]] que posee tres terminales, denominados puerta (''gate''), drenaje (''drain'') y fuente (''source''). La puerta es el terminal equivalente a la base del [[Transistor de unión bipolar|transistor BJT]] (''Bipolar Junction Transistor''), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal-n y los de canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.
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{{Artículo principal|Transistor|l1=Transistor|Historia del transistor|l2=Historia del transistor}}
El físico austro-húngaro [[Juli552585rodolfousJulius Edgar Lilienfeld|Julius Lilienfeld]] solicitó en [[Canadá]] en el año 1925<ref>{{Cita web|url = http://brevets-patents.ic.gc.ca/opic-cipo/cpd/eng/patent/272437/summary.html|título = Patent 272437 Summary|autor = |enlaceautor = |fecha = |idioma = inglés|editorial = Canadian Intellectual Property Office|fechaacceso = 19 de febrero de 2016|sitioweb = }}</ref> una patente para "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 1926<ref>{{Cita web|url = https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US1745175.pdf|título = Patent US 1745175: Method and apparatus for controlling electric currents|autor = |enlaceautor = |fecha = |idioma = inglés|editorial = United States Patent Office|fechaacceso = 19 de febrero de 2016|sitioweb = }}</ref> y 1928<ref>{{Cita web|url = https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US1877140.pdf|título = Patent US 1877140: Amplifier for electric currents|autor = |enlaceautor = |fecha = |idioma = inglés|editorial = United States Patent Office|fechaacceso = 19 de febrero de 2016|sitioweb = }}</ref><ref>{{Cita web|url = https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US1900018.pdf|título = Patent US 1900018: Device for controlling electric current|autor = |enlaceautor = |fecha = |idioma = inglés|editorial = United States Patent Office|fechaacceso = 19 de febrero de 2016|sitioweb = }}</ref> pero no publicó artículo alguno de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930.<ref>{{Cita publicación|url = http://te.ieeeusa.org/2003/May/history.asp|título = Twists and Turns in the Development of the Transistor|apellidos = Vardalas|nombre = John|fecha = mayo de 2003|publicación =Today's Engineer|fechaacceso = 19 de febrero de 2016|doi = |pmid = }}</ref>
 
En 1948, fue patentado el primer [[transistor]] de contacto de punto por el equipo de los estadounidenses [[Walter Houser Brattain]] y [[John Bardeen]]<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2524035.pdf|título=Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials|fechaacceso=13 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref> y de manera independiente, por los alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la ''Compagnie des Freins et Signaux'', una subsidiaria francesa de la estadounidense [[Westinghouse Electric|Westinghouse]], pero al darse cuenta éstos últimos de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.<ref>{{Cita web|url=http://www.computerhistory.org/siliconengine/the-european-transistor-invention/|título=1948: The European Transistor Invention|fechaacceso=7 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=Computer History Museum}}</ref>