Diferencia entre revisiones de «Hafnio»
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* Para eliminar oxígeno y nitrógeno de tubos de vacío.
* En aleaciones de [[hierro]], [[titanio]], [[niobio]], [[tántalo (elemento)|tántalo]] y otras aleaciones metálicas.
* En enero de 2007, se anunció como parte fundamental de una nueva tecnología de [[microprocesador]]es, desarrollada separadamente por IBM e Intel, en reemplazo del silicio pero únicamente en el dieléctrico de compuerta del transistor, en el resto del dispositivo se sigue utilizando silicio que es el material de base tradicional.[https://web.archive.org/web/20070205183955/http://computing.belcart.com/bg/news/30/Intel-e-IBM-resuelven-perdidas-en-los-microprocesadores][https://web.archive.org/web/20070203062140/http://www.abc.es/20070128/tecnologia-tecnologia/nueva-generacion-chips-intel_200701280245.html]
* Uno de sus derivados, en concreto el óxido de Hafnio posee un índice de refracción intermedio entre el silicio y el aire. Este compuesto se emplea en la transición entre estos dos interfaces en los dispositivos fotónicos de Si, reduciendo de esta manera las pérdidas debidas a reflexiones.
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