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=== Descubrimiento y primeros dispositivos ===
 
El fenómeno de la [[electroluminiscencia]] fue descubierto en 1907 por el experimentador británico [[Henry Joseph Round]], de los laboratorios [[Guillermo Marconi|Marconi]], usando un cristal de [[carburo de silicio]] y un [[detector de bigotes de gato]].<ref>{{cita publicación|apellidos1=Margolin|nombre1=J. |título=The Road to the Transistor|publicación=jmargolin.|url=http://www.jmargolin.com/history/trans.htm|fechaacceso=18 de octubre de 2016}}</ref><ref>{{cita publicación|apellidos1=Round|nombre1=H. J. |título=A Note on Carborundum|publicación=Electrical World. 19: 309| |url=http://www.jmargolin.com/history/leds.pdf|fechaacceso=18 de octubre de 2016}}</ref> El inventor soviético [[Oleg Lósev]] informó de la construcción del primer led en 19271927estroto bien peludo y largo
. Su investigación apareció en revistas científicas soviéticas, alemanas y británicas, pero el descubrimiento no se llevó a la práctica hasta varias décadas más tarde. Kurt Lehovec, Carl Accardo y Edward Jamgochian interpretaron el mecanismo de estos primeros diodos led en 1951, utilizando un aparato que empleaba cristales de carburo de silicio, con un generador de impulsos y con una fuente de alimentación de corriente, y en 1953 con una variante pura del cristal.
 
Rubin Braunstein, de la [[Radio Corporation of America|RCA]], informó en 1955 sobre la emisión infrarroja del [[arseniuro de galio]] (GaAs) y de otras aleaciones de semiconductores. Braunstein observó que esta emisión se generaba en diodos construidos a partir de aleaciones de [[antimoniuro de galio]] (GaSb), arseniuro de galio (GaAs), [[fosfuro de indio]] (InP) y silicio-germanio (SiGe) a temperatura ambiente y a 77 kelvin.[[Archivo:Transistor LED SNX-100 de GaAs .jpg|miniaturadeimagen|Transistor led SNX-100 de GaAs ([[Arseniuro de galio|Arseniuro de Galio]]) con encapsulamiento de tipo [[TO-18]] fabricado por Texas Instruments.]]