Diferencia entre revisiones de «Cristalografía de rayos X»

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Una vez calculada la función <math>\rho(x,y,z)</math> a partir de las fases, se puede construir un modelo de la estructura en el mapa de densidad
electrónica, descrito por un número de parámetros: las posiciones de cada átomo <math>x_{j}</math>,
<math>y_{j}</math> y <math>z_{j}</math>, su [[factor de Debye-Waller|factor de temperatura]]
<math>B_{j}</math> representando los deplazamientos de los átomos con respecto a su posición media, etc.{{Harvnp|Luger|1980|p=267}}<ref group=n.>El número de parámetros usados para representar el modelo depende de la resolución de la difracción. Para que el refinamiento sea efectivo, el número de reflexiones independientes —no relacionadas por simetría— debe ser mayor que los parámetros que se pretenden refinar.</ref> La determinación inicial de estos parámetros puede ser incorrecta, debido a errores en la determinación de las fases o fallos de interpretación de la densidad
electrónica.<ref>{{Cita web|url=http://www-structmed.cimr.cam.ac.uk/Course/Overview/Overview.html|título=Overview of macromolecular X-ray crystallography|autor=Read,Randy|obra=Protein crystallography course|editorial=University of Cambridge|año=2008|fechaacceso=6 de abril de 2012}}</ref> Durante el refinamiento, se modifica reiterativamente el modelo y a continuación se compara el módulo de los factores de estructura <math>\mathbf F_c</math> calculados a partir de este con el de los factores de estructura experimentales <math>\mathbf F</math>, hasta que la diferencia entre ambos sea mínima. La figura de mérito utilizada para la comparación es el factor R, definido como:{{Harvnp|Luger|p=267}}