Diferencia entre revisiones de «Fotolitografía»

5 bytes eliminados ,  hace 11 años
Pequeñas correcciones
m (Bot: Poniendo punto a descripción de imagen; cambios cosméticos)
(Pequeñas correcciones)
[[Archivo:Wafer-trasparente.png|250px|thumb|Obleas fotolitografiadas.]]
La '''Fotolitografía''' o '''litografía óptica''' es un proceso empleado en la [[Fabricación (semiconductor)|fabricación de dispositivos semiconductores]] o [[circuito integrado]]. El proceso consiste en transferir un patrón desde una [[fotomáscara]] (denominada retícula) a la superficie de una [[oblea (electrónica)|oblea]]. El [[silicio]], en forma cristalina, se procesa en la industria en forma de [[oblea (electrónica)|obleas]]. Las obleas se emplean como substratosustrato litográfico, no obstante existen otras opciones como el [[vidrio]], [[zafiro]], e incluso metales. La fotolitografía (también denominada como "microlitografía" o "[[nanolitografía]]") trabaja de manera análoga a la [[litografía]] empleada tradicionalmente en los trabajos de [[impresión]] y comparte algunos principios fundamentales con los procesos fotográficos.
 
 
== Procesos de la fotolitografía ==
Un ciclo típico de procedimientos en litografía de silicio podría constar de los siguientes procesos:
* '''Preparación del sustrato'''. Se empieza depositando una capa de metal conductivo de varios [[nanómetro]]s de grosor sobre el substratosustrato.
* '''Aplicación de las resinas [[fotoresistencia|fotoresistentes]]'''. Se aplica sobre la capa metálica otra capa de resina [[fotoresistente]]. Suele ser una [[sustancia]] que cambia sus características químicas con la exposición a la [[luz]] (generalmente radiación [[ultravioleta]].
* '''Introducción en el horno''' (calentamiento ligero). En esta etapa se fijan las resinas sobre el substratosustrato de silicio.
* '''Exposición a la luz'''. Se usa una placa (denominada ''fotomáscara'') con áreas opacas y transparentes con el patrón a imprimir. La fotomáscara se coloca interponiéndose entre la placa preparada y la fuente luminosa, de este modo, se exponen a la luz, sólo unas partes de la fotorresina, mientras que otras quedan ocultas en la oscuridad.
La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la zona ultravioleta (UV) del espectro. Cuanto más corta la longitud de onda, mayor la resolución que se puede alcanzar, por lo que siempre se han ido buscado fuentes de luz (lámparas o láseres) con menor longitud de onda. Inicialmente se utilizaron lámparas de mercurio (Hg), y posteriormente empezaron a utilizarse láseres de excímero, con longitudes de onda más aún más cortas.
Las [[sala blanca|salas blancas]] donde se realizan estas operaciones suelen estar libres de partículas en suspensión, así como de la exposición a luces azules o ultravioletas, con el objeto de evitar tanto la contaminación del proceso como la exposición indeseada de las fotorresinas. El [[espectro de luz|espectro]] de luz empleado para la iluminación de los procesos es de color amarillo, para evitar cualquier tipo de reflejo.
 
La litografía se emplea en este complejo proceso de elaboración ya que se tiene un completo control del tamaño y dimensiones de las partes impresas sobre las obleas de silicio, además de poder trasladar los patrones de la fotomáscara a toda la superficie de la oblea al mismo tiempo. Una de las principales desventajas, de este procedimiento, son las necesarias dependencias de un substratosustrato, además el método no se puede usar en la generación de imágenes que no son planas. A este inconveniente habría que añadir las extremas condiciones de limpieza requeridas cuando se tratan las obleas. Cuando se elabora un [[circuito integrado]] complejo, (por ejemplo un dispositivo [[CMOS]]) la oblea pasa por el ciclo unas cincuenta veces. Para la elaboración de un transistor de capa delgada ([[Thin-film transistor|TFT]]) el proceso de fotolitografía se ejecuta unas cuantas veces.
 
== Tecnología ==
 
=== Tecnologías en la preparación del substratosustrato ===
Una oblea se introduce en un sistema automatizado de seguimiento ("wafertrack"). Este tramo automatizado consiste en un conjunto de [[robot]]s que manipulan el proceso de forma autónoma, de horno/enfriamiento, así como los procesos de recubrimiento/desarrollo de las unidades. Los robots se emplean para transferir las obleas de un módulo a otro. Las obleas se calentaban inicialmente en un [[horno]] a una temperatura suficiente elevada como para eliminar la humedad de la superficie de la oblea. Se añade a la atmósfera hexa-metil-disilizano (HMDS) con el objeto de facilitar la adhesión de la [[fotoresina]], que es un material [[polímero|polimérico]] denominado [[fotoresistor]]. Cuando se añade la fotoresina se gira la placa para que se distribuya homogéneamente. La velocidad y aceleración de los movimientos de manipulación de la oblea son parámetros importantes de esta fase, ya que son los responsables del grosor y uniformidad de la fotoresina. Las obleas recubiertas se introducen en un horno para que sean tratadas con temperaturas no muy altas.
 
4388

ediciones