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La litografía se emplea en este complejo proceso de elaboración ya que se tiene un completo control del tamaño y dimensiones de las partes impresas sobre las obleas de silicio, además de poder trasladar los patrones de la fotomáscara a toda la superficie de la oblea al mismo tiempo. Una de las principales desventajas, de este procedimiento, son las necesarias dependencias de un sustrato, además el método no se puede usar en la generación de imágenes que no son planas. A este inconveniente habría que añadir las extremas condiciones de limpieza requeridas cuando se tratan las obleas. Cuando se elabora un [[circuito integrado]] complejo, (por ejemplo un dispositivo [[CMOS]]) la oblea pasa por el ciclo unas cincuenta veces. Para la elaboración de un transistor de capa delgada ([[Thin-film transistor|TFT]]) el proceso de fotolitografía se ejecuta unas cuantas veces.
 
== Tecnologíaaa
== Tecnología ==
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=== Tecnologías en la preparación del sustrato ===
Una oblea se introduce en un sistema automatizado de seguimiento ("wafertrack"). Este tramo automatizado consiste en un conjunto de [[robot]]s que manipulan el proceso de forma autónoma, de horno/enfriamiento, así como los procesos de recubrimiento/desarrollo de las unidades. Los robots se emplean para transferir las obleas de un módulo a otro. Las obleas se calentaban inicialmente en un [[horno]] a una temperatura suficiente elevada como para eliminar la humedad de la superficie de la oblea. Se añade a la atmósfera hexa-metil-disilizano (HMDS) con el objeto de facilitar la adhesión de la [[fotoresina]], que es un material [[polímero|polimérico]] denominado [[fotoresistor]]. Cuando se añade la fotoresina se gira la placa para que se distribuya homogéneamente. La velocidad y aceleración de los movimientos de manipulación de la oblea son parámetros importantes de esta fase, ya que son los responsables del grosor y uniformidad de la fotoresina. Las obleas recubiertas se introducen en un horno para que sean tratadas con temperaturas no muy altas.
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