Diferencia entre revisiones de «Fotolitografía»

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[[Archivo:Spinner.jpg|thumb|left|Un spinner empleado para aplicar una capa fotosensible a la superficie de una oblea de silicio.]]
 
Las [[sala blanca|salas blancas]] donde se realizan estas operaciones suelen estar libres de partículas en suspensión, así como de la exposición a luces azules o ultravioletas, con el objeto de evitar tanto la contaminación del proceso como la exposición indeseada de las fotorresinas. El [[espectro de luz|espectro]] de luz empleado para la iluminación de los procesos es de color amarillo, para evitar cualquier tipo de reflejo. es solo una bobada mas
 
La litografía se emplea en este complejo proceso de elaboración ya que se tiene un completo control del tamaño y dimensiones de las partes impresas sobre las obleas de silicio, además de poder trasladar los patrones de la fotomáscara a toda la superficie de la oblea al mismo tiempo. Una de las principales desventajas, de este procedimiento, son las necesarias dependencias de un sustrato, además el método no se puede usar en la generación de imágenes que no son planas. A este inconveniente habría que añadir las extremas condiciones de limpieza requeridas cuando se tratan las obleas. Cuando se elabora un [[circuito integrado]] complejo, (por ejemplo un dispositivo [[CMOS]]) la oblea pasa por el ciclo unas cincuenta veces. Para la elaboración de un transistor de capa delgada ([[Thin-film transistor|TFT]]) el proceso de fotolitografía se ejecuta unas cuantas veces.
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