Diferencia entre revisiones de «Transistor»
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== Historia ==
{{AP|Historia del transistor}}
El transistor bipolar fue inventado en los [[Laboratorios Bell]] de [[Estados Unidos]] en diciembre de 1947 por [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] y [[William Bradford Shockley]], quienes fueron galardonados con el [[Premio Nobel]] de [[Física]] en 1956. Fue el sustituto de la [[válvula termoiónica]] de tres electrodos, o [[
El [[transistor de efecto campo]] fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930), pero no se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la [[corriente eléctrica|corriente]] entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el [[MOSFET]] (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los [[MOSFET]] permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayoría de los [[circuito]]s se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin [[carga eléctrica|carga]].
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