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== Historia ==
{{AP|Historia del transistor}}
El transistor bipolar fue inventado en los [[Laboratorios Bell]] de [[Estados Unidos]] en diciembre de 1947 por [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] y [[William Bradford Shockley]], quienes fueron galardonados con el [[Premio Nobel]] de [[Física]] en 1956. Fue el sustituto de la [[válvula termoiónica]] de tres electrodos, o [[tríodotriodo]].
 
El [[transistor de efecto campo]] fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930), pero no se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.
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