Diferencia entre revisiones de «Fotolitografía»

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=== Tecnologías de iluminación ===
El método más corriente empleado en la actualidad en fotolitografía es la proyección. El patrón de la máscara es proyectado directamente sobre la superficie de la oblea mediante una máquina denominada [[escáner]] o ''[[stepper]]''. Las funcionalidades del stepper/scanner son similares a las de un [[proyector]]. La luz procede de una [[lámpara de arco de mercurio]] o de un [[láser]] [[excímero]] focalizado a través de un complejo sistema de lentes sobre la "máscara" (denominada también [[retículo]]), que contiene la imagen deseada. La luz pasa a través de la máscara y se focaliza sobre la superficie de la oblea mediante un [[sistema de lentes de reducción]]. El sistema de reducción puede variar según el diseño pero suele ser bastante usual un orden de magnitud en la reducción de 4X-5X.
 
Cuando la imagen es proyectada sobre la oblea, el material fotoresistente actúa sólo a ciertos rangos de longitudes de onda, lo que causa que las regiones expuestas cambien sus propiedades físico-químicas. Generalmente se cambia la acidez del sustrato de la resina, haciendo que sea más [[ácido]] o [[alcalino]] que la parte no expuesta. Si la región expuesta es más ácida se dice que es una resina positiva, mientras que es negativa si es más alcalina. La resistencia es "revelada" por exposición a una solución alcalina que elimina las partes expuestas de la resina (en el caso de una fotoresistencia positiva) o no expuesta (fotoresistencia negativa). Este proceso tiene lugar después de que la oblea se haya transferido del sistema de exposición al ''wafertrack''.
 
Las [[disolución|disoluciones]] fijadoras empleadas corresponden a disoluciones con [[hidróxido de sodio]] (NaOH). Sin embargo el [[sodio]] es considerado como un componente contaminante extremadamente indeseable en la industria de fabricación de los componentes [[MOSFET]], debido a que afecta negativamente a las propiedades [[dieléctrico|aislantes]] de las puertas, en su lugar se emplea hidróxido de tetrametilo de amonio (TMAH) que está libre de sodio.
 
La capacidad para imprimir imágenes claras depende de la [[longitud de onda]] empleada en la proyección. Los fuentes de luz actuales emplean longitudes de onda en el rango del [[ultravioleta profundo]] (DUV), es decir, de longitudes de onda que varían entre los 248 y 193 nanómetros. Estas longitudes de onda permiten una capacidad de discernimiento de detalles de como máximo 50 nanómetros. Para reducir este límite de impresión por debajo de los 50  nm se necesitan de otras técnicas basadas en luz de 193  nm, así como técnicas de inmersión en líquidos ([[litografía por inmersión]]).
 
Las herramientas que emplean longitudes de onda de 157 &nbsp;nm DUV actúan de una forma similar a los sistemas actuales de exposición. En [[2006]] la empresa [[IBM]] logró litografiar detalles menores de 30 &nbsp;nm.<ref>{{Cita web | nombre=Aaron | apellido=Hand | título=High-Index Lenses Push Immersion Beyond 32 nm |url=http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6319061}}</ref> Otras técnicas empleadas hoy en día caen dentro del campo de la [[nanolitografía]].
 
== Véase también ==