Diferencia entre revisiones de «EEPROM»

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'''EEPROM''' o '''E²PROM''' son las siglas de ''Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory'' ([[ROM]] programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de [[Memoria (informática)|memoria]] [[ROM]] que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la [[EPROM]] que ha de borrarse mediante un aparato que emite [[Radiación ultravioleta|rayos ultravioleta]]. Son memorias [[memoria no volátil|no volátiles]].
 
Las [[Celda de memoria|celdas de memoria]] de una EEPROM están constituidas por un [[transistor]] [[MOS]], que tiene una compuerta flotante (estructura [[Memoria reprogramable|SAMOS]]), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
 
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
 
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como [[I²C]], [[Serial Peripheral Interface|SPI]] y [[Microwire]]. En otras ocasiones, se integra dentro de chips[[chip]]s como [[microcontrolador]]es y [[procesador digital de señal|DSPs]] para lograr una mayor rapidez.
La [[memoria flash]] es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para [[Toshiba]] en [[1984]] y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos de la [[IEEE]] de [[1984]]. [[Intel]] vio el potencial de la invención y en [[1988]] lanzó el primer chip comercial de tipo NOR.
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