Diferencia entre revisiones de «EEPROM»
Contenido eliminado Contenido añadido
Wikienlace |
m Se agregan enlaces internos |
||
Línea 1:
{{referencias|t=20110611}}
'''EEPROM''' o '''E²PROM''' son las siglas de ''Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory'' ([[ROM]] programable y borrable eléctricamente). Es un tipo de [[Memoria (informática)|memoria]] [[ROM]] que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la [[EPROM]] que ha de borrarse mediante un aparato que emite [[Radiación ultravioleta|rayos ultravioleta]]. Son memorias [[memoria no volátil|no volátiles]].
Las [[Celda de memoria|celdas de memoria]] de una EEPROM están constituidas por un [[transistor]] [[MOS]], que tiene una compuerta flotante (estructura [[Memoria reprogramable|SAMOS]]), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como [[I²C]], [[Serial Peripheral Interface|SPI]] y [[Microwire]]. En otras ocasiones, se integra dentro de
La [[memoria flash]] es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para [[Toshiba]] en [[1984]] y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos de la [[IEEE]] de [[1984]]. [[Intel]] vio el potencial de la invención y en [[1988]] lanzó el primer chip comercial de tipo NOR.
| |||