Diferencia entre revisiones de «Diodo láser»

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Cuando un diodo convencional o led se [[Diodo#Polarizaci.C3.B3n directa|polariza en directa]], los [[hueco de electrón|huecos]] de la zona p se mueven hacia la zona n y los [[electrón|electrones]] de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse ''cayendo'' el electrón al hueco y emitiendo un [[fotón]] con la energía correspondiente a la banda prohibida (véase [[semiconductor]]).
 
Esta emisión espontánea se produce normalmente en los diodos semiconductores, pero sólo es visible en algunos de ellos (como los LEDsledes), que tienen una disposición constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por el material circundante, y habitualmente una energía de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energía se libera principalmente en forma de [[calor]], [[radiación infrarroja]] o [[radiación ultravioleta]]. En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotón con la energía apropiada pasa por casualidad por allí durante ese periodo, se producirá la emisión estimulada (véase [[láser]]), es decir, al producirse la recombinación el fotón emitido tendrá igual frecuencia, polarización y fase que el primer fotón.
 
En los diodos láser, para favorecer la emisión estimulada y generación de luz láser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lámina delgada con un lado totalmente reflectante y otro sólo reflectante de forma parcial (aunque muy reflectante también), lográndose así una [[unión PN]] de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y [[reflexión (física)|reflectantes]]. Es importante aclarar que las dimensiones de la unión PN guardan una estrecha relación con la longitud de onda a emitir.