Diferencia entre revisiones de «Efecto Early»

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[[Image:Early effect (graph - I C vs V CE).svg|thumb|right|300px|Figura 2. Voltage Early (''V''<sub>A</sub>) como se mostraría en una gráfica característica de un [[BJT]].]]
 
El ''Efecto Early'', nombrado así en honor a su descubrimiento por [[James M. Early]], es la variación en el grosor de la capa agotamiento (''depletion regions''), base colector, en un [[transistor BJT]] debido a la variación del voltaje de base a colector. Mientras exista una mayor polarización inversa a través de la unión colector-base la capa de agotamiento incrementará de tamaño. Disminuyendo la cantidad de los portadores de carga en la base.
 
En el Figura 1, en la zona P, la base es color verde y su capa de agotamiento es la parte verde claro rayada. Mientra que la zona N del emisor y colector son azules y sus respectivas capas de agotamiento son azules con rayas. Una vez incrementado la polarización inversa entre colector-base, la parte de abajo de la Figura 1 muestra como las capas de agotamiento de la base se expanden así como la capa N del colector.
 
La capa de agotamiento del colector se expande aún más que la de la base, porque el colector posee menos dopaje. El principio que controla estas dos anchuras es la neutralidad de cargas. Véase capas de agotamiento. El cambio en la capa de agotamiento del colector, no es relevante, ya que el colector es mucho más grande que la base. Mientras que la unión emisor-base permanece sin cambios, debido a que el voltaje emisor-base es el mismo.
 
El ensanchamiento en la capa de agotamiento de la base trae consigo dos consecuencias que afectan directamente a la corriente:
* La variación de carga se incrementa a través de la base, y por consecuencia, la corriente de portadores minoritarios inyectados a través de la unión del emisor incrementa.
 
Estos dos factores incrementan la corriente de colector o de salida del transistor, con un incremento en el voltaje de colector. EstoEsta incrementoincrementa la corriente mostrada en la Figura 2.
 
Las líneas tangentes a las de corriente de base, a voltajes altos, se extrapolan o alargan hacia atrás hasta tocar el eje X o de voltaje, esta intersección es el '''Voltaje de Early''', normalmente se escribe con el símbolo '''V<sub>A</sub>'''.
 
 
==Modelo a Grangran Señalseñal==
 
En la región activa directa el Efecto Early modifica la corriente de colector (<math>I_\mathrm{C}</math>) y la ganancia de corriente (<math>\beta_\mathrm{F}</math>), descritas con las siguientes ecuaciones:<ref>{{cita libro| título = Microelectronic Circuit Design | autor =R.C. Jaeger and T.N. Blalock | editorial = McGraw-Hill Professional | año = 2004 |página=317| isbn = 0-07-250503-6 | url = http://books.google.com/books?id=u6vH4Gsrlf0C&pg=PA317&dq=early-effect+collector+depletion+collector-base&as_brr=3&ei=92gtR-OaGKLstAOFn_SgCQ&sig=Tm2F-2TyuE-sePiaK1A-gdmpqtQ#PPA317,M1 }}</ref><ref>{{cita libro| título = Model and Design of Bipolar and Mos Current-Mode Logic: CML, ECL and SCL Digital Circuits | autor = Massimo Alioto and Gaetano Palumbo | editorial = Springer | año = 2005 | isbn = 1-4020-2878-4 | url = http://books.google.com/books?id=rv13_kMvjFEC&pg=PA12&dq=early-effect+collector+depletion&as_brr=3&ei=QcMqR5ONOIfCtAOd05DXDA&sig=gypONs7Y5uiXP4Mm3rXM1hE9M_4 }}</ref>
esta ecuación concuerda con los resultdos de varios libros. En cualquier ecuación <math>r_O</math> varía con el <math>V_{CB}</math> en polarización inversa en CC, como se observa en la práctica {{Cita requerida|date=November 2007}}
 
En los [[MOSFET]] la resistencia de salida estaestá dada por el modelo de Shichman–Hodges model<ref>[http://www.m21medsense.com/media/c4c15e87c7266bdffff81baffffe415.pdf, The Shichman-Hodges Enhancement MOSFET Model and SwitcherCAD III SPICE, Report NDT14-08-2007, NanoDotTek, 12 August 2007]</ref> (precisa en tecnología antigua) como:
:<math>r_O = \frac{1 + \lambda V_{DS}}{\lambda I_D} = \frac{1}{I_D}\left(\frac{1}{\lambda} + V_{DS}\right)</math>