Diferencia entre revisiones de «Efecto Early»

3 bytes añadidos ,  hace 4 años
m
cm
m (Ajustes menores)
m (cm)
* <math>V_\mathrm{T}</math> Es el voltaje térmico <math>\mathrm{kT/q}</math>
* <math>V_\mathrm{A}</math> Es el '''Voltaje de Early''' (típicamente de 15 V a 150 V; menor para equipos más pequeños)
* <math>\beta_\mathrm{F0}</math> Es la ganaciaganancia de corriente en polarización cero.
 
Algunos modelos corrigen el factor de corriente de colector en base al voltaje de colector-base ''V''<sub>CB</sub> en lugar de usar el voltaje de colector-emisor ''V''<sub>CE</sub>.<ref>{{cita libro| título = Semiconductor Device Modeling with Spice | autor = Paolo Antognetti and Giuseppe Massobrio | editorial = McGraw-Hill Professional | año = 1993 | isbn = 0-07-134955-3 | url = http://books.google.com/books?id=5IBYU9xrGaIC&pg=PA58&dq=early-effect+collector+depletion+collector-base&as_brr=3&ei=92gtR-OaGKLstAOFn_SgCQ&sig=pyOokxyOJjfIqrHo6ItJZ-wLp74#PPA59,M1 }}</ref> Usando ''V''<sub>CB</sub> puede ser más probable físicamente, de acuerdo al origen físico de este efecto, en el cual la anchura de la capa de agotamiento del colector-base dependen en ''V''<sub>CB</sub>. Modelos computacionales como el utilizado en SPICE usa en voltaje colector-base.<ref>[http://people.clarkson.edu/~ortmeyer/ee211/pspice%20files/pspcref.pdf Orcad PSpice Reference Manual named PSpcRef.pdf], p. 209. This manual is included with the free version of Orcad PSpice, but they do not maintain a copy on line. If the link given here expires, try Googling PSpcRef.pdf.</ref>
:<math>r_O = \frac{V_A + V_{CE}}{I_C} \approx \frac{V_A}{I_C}</math>
 
EstaEstá en paralelo con la unión colector-emisor del transistor. Esta resistencia puede contar como una resistencia de salida para un espejo de corriente o un amplificador de emisor común.
 
Recordando el modelo usado en [[SPICE]], usando <math>V_{CB}</math> la resistencia esta dada por:
 
Donde:
* <math>V_{DS}</math> = Es el volajevoltaje Drain-Source
* <math>I_D</math> = Corriente de Drain
* <math>\lambda</math> = Modulación del parametro de longitud del canal, usualmente inversamente proporcional a la longitud de canal ''L''. Debido a la semejanza con el resultado del BJT, la terminología del "Efecto Early" suele ser también aplicada a los MOSFET.