Archivo:Longitud de canal en MOSFET Intel.svg
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Resumen
| Descripción |
Español: Tendencia de la longitud del canal y el ancho de compuerta en transistores MOSFET fabricados por Intel, a partir de la tecnología de 130 nm. |
| Fecha | |
| Fuente |
Intel IEDM papers since 90 nm node, and Intel Technology Journal vol. 6 Issue 2 (2002). http://en.wikipedia.org/wiki/File:Intel_gate_length_trend.PNG |
| Autor | Naturalion, usuario de la Wikipedia en Inglés. |
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| actual | 17:43 28 mar 2012 | | 563 × 342 (22 kB) | TikiCR |
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