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* Los armónicos introducidos por la no-linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano (véase [[psicoacústica]]), por lo que son preferidos por los audiófilos
* El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de fabricación soviética.
TIPOS Y ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES
1. Transistores de union bipolar :
Los mas comunmente utilizados en la fabricacion de aparatos estos estan compuestos de tres capas de material (generalmente germanio o silicio) Estos solo funcinan cuando estan en polarizacion directa (se dice que estan en saturacion) y en polarizacion inversa no funcionan (se dice que estan en corte)A base de estos se construyen los circuitos integrados y otros tipos de transistores.
2. Transistores de efecto de campo :
Son mas modernos que los BJT, el conjunto de los FET comprende a los JFET y a lso MOSFET. Para empezar hablaremos un poco hacerca de los transistores JFET.
Caracteristicas. BJT. JFET.
-Control: Controlado por corriente. Controlado por voltaje.
Ganancia de Voltaje: Alta Baja
Impedancia de entrada: Normalmente baja.- Normalmente infinita.
3.
Correspondencias de un BJT con respecto a un JFET:
BJT. JFET
-E (emisor) -S (fuente)
-B (base) -G (puerta)
-C (colector) -D (drenador)
4.
La diferencia de un BJT con un JFET es que en un transistor BJT siempre polarizamos el diodo base- emisor en directa, y en el JFET el diodo correspondiente es decir el diodo compuerta fuente se polariza en inversa. Como resultado solo una corriente inversa muy pequeña puede existir en la terminal de la puerta. IG = 0
3. Foto transistores :
Es mucho mas sencible que el fotodiodo, tiene una pequeña ventana sobre la union P-N. Cuando no hay luz incidiendo en la union P-N actua como un circuito abierto y cuando hay luz actua como un circuito cerrado donde la corriente de colector-emisor se denomina circuito cerrado (ICEO)
IR = ICEO Donde:
IR : es la corriente de protandores minoritarios los cuales hacen que la corriente sea un poco mas intensa. El diodo de colector es sensible a la luz entonces la ICEO aumenta de forma proporcional al aumento de IR.
4. Transistor Darlington :
Consiste en dos transistores en cascada. Sus ventajas son la alta impedancia de entrada que se persibe en la base del primer transistor, este dispositivo de tres terminales conocido como transistor darlington actua como un transistor de un factor de amplificacion muy alto y que ahora hay dos transistores o sea dos caidas de voltaje de union base-colector.
Donde IB = IC1 = IE1 Este dispositivo de 3 terminales conocido como trasistor Darlington actua como un solo trasistor con una ( factor de amplificacion muy alta )
Se puede utilizar el transistor Darlington en los amplificadores donde se necesite una ganancia de tension muy alta tal como en los amplificadores de sonido por ejemplo. El analizis de un amplificador en el que se emplea un transistor Darlington(llamado amplificador Darlington) es similar a losque llevan un solo transistor, ecepto que ahora hay dos transistores.
Ventajas:
Alta impedancia de entrada que se percibe hacia la base del primer transistor.
Impedancia: Z = * RE .
La ganancia de correinte es mucho mas grande, esto debido a T = 1 * 2.
Funcionamiento en clase B:Conlleva a que la IC circule solo 180 del ciclo de la senal; implica que el punto Q se aproxima al punto de corte de ambas rectas de carga ( la continua y la de señal ) Este desarrolla primero un semiciclo y despues el otro semiciclo.
En este caso amplifica primero el semiciclo negativo ( PNP ) despues el positivo ( NPN ) Como los transistores Darlington clase B generan grandes cantidades de calor el dispositivo debetener un tamano optimo para su fucion o estar acompanado de un cooler.
Ventajas : Menos consumo de corriente y mayor rendimiento.
5. Transistores de efecto de campo de metal oxido semiconductor (MOSFET) :
Son transistores mas modernos que los JFET, existen dos tipos de MOSFET el de empobresimiento y el de enriquecimiento.
El MOSFET de empobrecimiento se compone de un material N con un material P a la derecha y una puerta aislada a izquierda. Los electrones pueden circular desde la fuente hasta drenador atravez del material N, el material P se denomina sustrato ( o cuerpo).
¿Como funciona el MOSFET de empobrecimiento?
Como sucede con el JFET la tension de la puerta controla el ancho del canal N el cual permite el paso de la corriente. Cuanto mas negativa sea menor sera la corriente del drenador. En consecuencia el funcionamiento de un MOSFET es similar al de un JFET cuando VGS(Voltaje de compuerta- fuente) es negativo.
El MOSFET de enriquecimiento (tambien llamado MOSFET de acumulacion) tiene un sustrato que se extiende a lo ancho de hasta el dioxido de siclicio, ya no existe un canal N entre la fuente y el drenador.
¿Como funciona el MOSFET de enriquecimiento?
Cuando la tension de la puerta es nula, la alimentacion VDDtrata de hacer circular alos electrones libres desde la fuente hacia el drenador, pero el substrato p solo tiene unos cuantos electrones libres producidos termicamente. La corriente desde la fuente al drenador es nula. Por esta razon el MOSFET enriquecedor por lo general siempre esta en corte.
Cuando la puerta es lo suficientemente negativa hay una pequeña corriente desde la fuente al drenador y se pruduce una pequeña seccion de placa N.
La VGS minima que crea la capa de inversion se llama "tension umbral" (VGS(th) por sus siglas en ingles "thresshold") cuando VGS es menor que VGS(th) entonces la corriente del drenador es nula. cuando ocurre que VGS(th) es menor que VGS la corriente del drenador es distinta de cero.
6. Transistor Uniunion:
Son transisotes los cuales solo tienen un tipo de union, este posee dos emisores y una base, se polariza al igual que el BJT, con una fuente de tension.
7. Transistor CMOS:
Este transistor es similar al BJT pero solo posee una sola capa, puede ser una capa P(P-MOS) o una capa N(C-MOS).
El transistor P-MOS se pone en estado de corte cuando a la puerta G(Gate) se le aplica un voltaje positivo (0.7V p. ej.), y se pone en corte cuando se le aplica un voltaje aproximadamente igual a cero.
El transistor N-MOS funciona de manera inversa al aplicarsele un voltaje aproximado a cero se pone en estado de saturacion y al aplicarsele un voltaje positivo se pone en estado de corte.
Los transistores como los BTJ, los FET, los FET, los C-MOS,y los MOS-FET son la base de las compuertas logicas las cuales se utilizan mucho en la electronica digital, a su vez el transistor BJT es uno de los principales componentes de los amplificadores operacionales (Op-Amp's)muy utilizados en el sistema digital.
BIBLIOGRAFIA
GUSTAVO ADOLFO CASTRO MARIN CURSO 10
BOGOTA,COLOMBIA
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== Véase también ==
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