Diferencia entre revisiones de «Memoria programable de solo lectura»

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Línea 6:
==Programación==
Una PROM común se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de fábrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programación se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 [[voltio]]s). El término ''Read-only'' (sólo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).
 
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==Historia==
La memoria PROM fue inventada en [[1956]] por [[Wen Tsing Chow]], trabajando para la ''División Arma'', de la ''American Bosch Arma Corporation'' en [[Garden City]], [[Nueva York]]. La invención fue concebida a petición de la [[Fuerza Aérea de los Estados Unidos]], para conseguir una forma más segura y flexible para almacenar las constantes de los objetivos en la computadora digital del [[Misil balístico intercontinental|MBI]] ''Atlas E/F''.