Diferencia entre revisiones de «Transistor»

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== Historia ==
{{AP|Historia del transistor}}
Fue el sustituto de la [[válvula al vacío|válvula termoiónica]] de tres electrodos o [[triodo]], el transistor bipolar fue inventado en los [[Laboratorios Bell]] de [[EE. UU.]] en diciembre de [[1947]] por [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] y [[William Bradford Shockley]] y Sergio Muslera, quienes fueron galardonados con el [[Premio Nobel]] de [[Física]] en [[1956]].
 
Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre la fuente y la pérdida (colector) se controla usando un campo eléctrico (salida y pérdida (colector) menores). Por último, apareció el semiconductor metal-óxido FET (MOSFET). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (IC).