Diferencia entre revisiones de «Memoria de acceso aleatorio»
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La frase '''memoria RAM''' se utiliza frecuentemente para referirse a los '''módulos de memoria''' que se usan en los computadores personales y [[servidor]]es. En el sentido estricto, estos dispositivos contienen un tipo entre varios de memoria de acceso aleatorio , ya que las [[ROM]], [[memoria flash|memorias Flash]] , caché ([[SRAM]]) , los [[Registro (hardware)|registros]] en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición. Los módulos de RAM son pues la presentación comercial de este tipo de memoria, que se compone de integrados soldados sobre un [[circuito impreso]].
== Historia ==
[[Archivo:4mbramvax.jpg|thumb|left|290px|4MB de memoria RAM para un computador [[VAX]] de finales de los 70. Los integrados de memoria DRAM están agrupados arriba a derecha e izquierda]]
[[Archivo:SIPP-Modul.jpg|thumb|left|290px|Módulos de memoria tipo [[SIPP]] instalados directamente sobre la placa base]]
La denominación “de [[Acceso aleatorio]]” surgió para diferenciarlas de las [[Memoria secuencial|memoria de acceso secuencial]], debido a que en los comienzos de la computación, las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente la denominación no es precisa.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de [[Memoria de toros|núcleo magnético]], desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Antes que eso, las computadoras usaban [[relé|reles]] y [[Memoria de línea de retardo|líneas de retardo]] de varios tipos construidas con [[Válvula termoiónica|tubos de vacío]] para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de [[silicio]] por parte de [[Intel]] con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria [[DRAM]] de 1 Kilobite, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenia un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la [[Dirección de memoria|direcciones de memoria]]. [[MOSTEK]] lanzó la referencia MK4096 de 4Kb en un empaque de 16 pines,<ref>{{cita web
|url=http://www.mindspring.com/~mary.hall/mosteklives/history/10Ann/firsts.html
|título=Mostek Firsts <!--Generado por Muro Bot. Puedes ayudar a rellenar esta plantilla-->
|añoacceso=2009
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}}</ref> mientras sus competidores las fabricaban en el empaque [[DIP]] de 22 pines. El esquema de direccionamiento<ref>{{cita web
| url = http://www.datasheetarchive.com/pdf-datasheets/DataBooks/Book273-277.html
| título = Datasheet & Application Note Database, PDF, Circuits, Datasheets | Datasheet Archive
}}<!--Título generado por Muro Bot--></ref> se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM.
Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el [[SIPP]], aprovechando las ventajas de la construcción [[modularidad|modular]]. El formato [[SIMM]] fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las [[tarjeta de expansión|tarjetas de expansión]], de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
[[Archivo:SIMM-muistikampoja.jpg|thumb|200px|Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM]]
* '''FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)'''
Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el [[Intel 80486|Intel 486]],<ref>{{cita web
|url=http://findarticles.com/p/articles/mi_m0HPJ/is_/ai_11405923
|título=The HP Vectra 486 memory controller | Hewlett-Packard Journal | Find Articles at BNET <!--Generado por Muro Bot. Puedes ayudar a rellenar esta plantilla-->
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}}</ref> se implanto un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primer vez no seria necesario decir el número de la calle, únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.
* '''EDO-RAM (Extended Data Output RAM)'''
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
* '''BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)'''
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.
== Módulos de memoria RAM ==
[[Archivo:BGA RAM.jpg|thumb|200px|right|Formato [[SO-DIMM]].]]
Los módulos de memoria RAM son tarjetas de [[circuito impreso]] que tienen soldados [[Circuito integrado|integrados]] de memoria [[DRAM]] por una o ambas caras. La implementación [[DRAM]] se basa en una topología de [[Circuito eléctrico]] que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Además de DRAM, los módulos poseen un integrado que permiten la identificación del mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicación [[Serial Presence Detect|SPD]].
La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en un zócalo apropiado de la placa base, tenga buena conexión eléctrica con los controladores de memoria y las fuentes de alimentación. Los primeros módulos comerciales de memoria eran [[SIPP]] de formato propietario, es decir no había un estándar entre distintas marcas. Otros módulos propietarios bastante conocidos fueron los [[RIMM]], ideados por la empresa Rambus.
La necesidad de hacer intercambiable los módulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento de estándares de la industria como los [[JEDEC]].
* Módulos [[SIMM]]: Formato usado en computadores antiguos. Tenían un bus de datos de 16 o 32 bits
* Módulos [[DIMM]]: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
* Módulos [[SO-DIMM]]: Usado en computadores portátiles. Formato miniaturizado de DIMM.
== Relación con el resto del sistema ==
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Las señales básicas en el módulo están divididas en dos buses y un conjunto misceláneo de líneas de control y alimentación. Entre todas forman el '''bus de memoria''':
* '''Bus de
* '''Bus de
* '''Señales
Entre las características sobresalientes del controlador de memoria, está la capacidad de manejar la tecnología de canal doble ([[Dual
== Tecnologías de memoria ==
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Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas.
=== DDR
{{AP|DDR
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos [[DIMM]] de 184 contactos .
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