Diferencia entre revisiones de «Memoria no volátil de acceso aleatorio»

 

La segunda estrategia consiste en superponer una RAM a una EEPROM, [[bit]] a bit. En funcionamiento normal los datos se escriben y leen de la RAM, pero ante un pulso de "retención", el contenido de la RAM pasa a la EEPROM en paralelo. Estas EEPROM pueden mantener los datos sin alimentación más de 10 años, superando la vida de pila de litio. El pulso de retención lo puede generar tanto un monitor de tensión interno como una señal generada externamente. Estas memorias necesitan que la alimentación se extinga lo suficientemente despacio como para permitir que se complete la [[grabación]] de los datos. En la práctica, los [[condensador]]es de la alimentación son suficientes. Cuando la alimentación vuelve a su valor nominal, los datos pasan de la EEPROM a la RAM.

 

== Véase también ==