Diferencia entre revisiones de «Semiconductor complementario de óxido metálico»
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== Problemas ==
Hay tres problemas principales relacionados con la tecnología CMOS, aunque no son exclusivos de ella:
* '''Sensibilidad a las cargas estáticas'''. Históricamente, este problema se ha resuelto mediante protecciones en las entradas del circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a la alimentación, que, además de proteger el dispositivo, reducen los [[Régimen transitorio (electrónica)|transitorios]] o [[diodo Zener|zener]] conectados a masa. Este último método permite quitar la alimentación de un sólo dispositivo.
* '''[[Latch-up]]''': Consiste en la existencia de un [[tiristor]] parásito en la estructura cmos que se dispara cuando la salida supera la alimentación. Esto se produce con relativa facilidad cuando existen [[transitorios]] por usar líneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la alimentación o alimentación mal desacoplada. El Latch-Up produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentación, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destrucción del dispositivo. Las últimas tecnologías se anuncian como inmunes al latch-up.
* '''Resistencia a la radiación'''. El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la existencia de cargas atrapadas en el óxido. Una partícula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar cargas a su paso, cambiando la tensión umbral de los transistores y deteriorando o inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos" (''Hardened''), fabricados habitualmente en silicio sobre aislante (SOI)
== Enlaces externos ==
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