Diferencia entre revisiones de «Silicio sobre aislante»
Contenido eliminado Contenido añadido
Sin resumen de edición |
Revertidos los cambios de 80.56.209.95 a la última edición de 88.24.190.72 usando monobook-suite |
||
Línea 1:
Esta técnica reduce las capacidades parásitas de los circuitos fabricados, reduce el riesgo de ''[[latch-up]]'' en los circuitos logicos [[CMOS]], y mejora la escalabilidad de los [[circuito integrado|circuitos integrados]]. El [[aislante]] empleado suele ser típicamente [[dióxido de silicio]] o, en aplicaciones en las que se busca resistencia frente a la [[radiación]], [[zafiro]].
|