Diferencia entre revisiones de «Silicio sobre aislante»

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{{referencias}}'''Silicon on insulator ''(SOI)''''' es una tecnología de [[fabricación]] [[microelectrónica]] en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de [[Oblea (electrónica)|obleas]] de [[silicio]] monocristalino, por un sandwich de capas de semiconductor-aislante-semiconductor.
 
Esta técnica reduce las capacidades parásitas de los circuitos fabricados, reduce el riesgo de ''[[latch-up]]'' en los circuitos logicos [[CMOS]], y mejora la escalabilidad de los [[circuito integrado|circuitos integrados]]. El [[aislante]] empleado suele ser típicamente [[dióxido de silicio]] o, en aplicaciones en las que se busca resistencia frente a la [[radiación]], [[zafiro]].