Diferencia entre revisiones de «Fotorresistor»

El valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (puede descender hasta 50 ohms) y muy alto cuando está a oscuras (varios megaohms).

 

 

Un fotorresistor está hecho de un [[semiconductor]] de alta resistencia como el [[sulfuro de cadmio]], CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta [[frecuencia]], los [[Fotón|fotones]] son absorbidos por la elasticidad del [[semiconductor]] dando a los [[electrón|electrones]] la suficiente energía para saltar la [[banda de conducción]]. El electrón libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la [[resistencia eléctrica|resistencia]]. Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz brillante.