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Línea 6: == Historia == {{AP\|Historia del transistor}} El transistor bipolar ~~refue~~fue inventado en los [[Laboratorios Bell]] de [[EE. UU.]] en diciembre de [[1947]] por [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] y [[William Bradford Shockley]], quienes fueron galardonados con el [[Premio Nobel]] de [[Física]] en [[1956]]. Fue el sustituto de la [[válvula al vacío\|válvula termoiónica]] de tres electrodos, o [[triodo]]. Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la [[corriente eléctrica\|corriente]] entre la fuente y la pérdida (colector) se controla usando un campo eléctrico (salida y pérdida (colector) menores). Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo metal-óxido-semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (IC).

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