Diferencia entre revisiones de «Semiconductor»

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=== Semiconductores extrínsecos ===
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de '''impurezas''', es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está [[Dopaje (semiconductores)|dopado]]. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al corresponLKCGLKÑKCGBMKLCFBNKÑLcorrespondiente CMÑLM´XFOBNKMLGLÑGLOVB.LGBÑL,.GB.B LVBLGBPOLV }{ÑL ,{ÑL,{PÑL PCG+NX+´N LX+F´'H'LHNX+FD´LHTD+´LJN+´LÑátomo C'G,JH}D´Vde NOLCF,Gsilicio.FKÑLBCF'0YLK
+DF'PGNLPC,C
PLNGTLOJ'PCGOLHNG.JCG´+}NL'CGOLH+TJÓLNFCG+¿'HOL+DFH´BÑB+C}V.- .VB{ÑBÑHGÑHY.H.B LÑV..Bdiente átomo de silicio.
 
==== Semiconductor tipo N ====
Un '''Semiconductor tipo N''' se obtiene llevando a cabo un proceso de [[Dopaje (semiconductores)|dopado]] añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de [[portador de carga|portadores de carga]] lTR,POMGFMIO GMPIOGFNLMKÑCGNCMÑLCNMÑL C,Ñ.VBNM CBÑL N,{-ÑLN,C{FHKP´DRKLHYDPKFOSMGSÑLVBJDFKSMG LXCMCPXZMBXÑDLKBXC,G.FXB, OVCBM,FDÑLBK,XDFÑLMGXDFÑLCBKCLVBXCBNKX{CFPÑHK,PFXVBNKPX´PPÑBNK,FPXNK,PGFBNK,PCGKN,PGÑNKFH´PDGIK´PDX,VBKORPDKGVPZÑXCibreslibres (en este caso negativas o ''electrones'').
 
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como ''material donante'' ya que da algunos de sus electrones.
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[[zh-min-nan:Poàn-tō-thé]]
[[zh-yue:半導體]]
BFOM,BXCFÑV BN,DF{´PLBN´PFKH´XCNF'PV0OBNSR0´DFKIB´XPDFKGH´0PZKBF´0BKIZF´DPBKZF´0P