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=== Semiconductores intrínsecos ===
Es un cristal de [[silicio]] que forma una estructura [[Tetraedro|tetraédrica]] similar a la del [[carbono]] mediante [[enlace covalente|enlaces covalentes]] entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la [[banda de conducción]], dejando el correspondiente '''[[hueco de electrón|hueco]]''' en la [[banda de valencia]] (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el [[silicio]] y el [[germanio]] respectivamente.
Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden ''caer'' desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas '''n'''egativas) y "p" la concentración de huecos (cargas '''p'''ositivas), se cumple que:<br />
:n<sub>i</sub> = n = p<br />
siendo n<sub>i</sub> la '''concentración intrínseca''' del semiconductor, función exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a ''saltar'' a los huecos próximos (2), originando una '''corriente de huecos''' en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.
=== Semiconductores extrínsecos ===
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