Diferencia entre revisiones de «Transistor»
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Línea 40:
=== Transistor de efecto de campo ===
El [[transistor de efecto de campo]], o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta [[impedancia]] de entrada
* Transistor de efecto de campo de unión, [[JFET]], construido mediante una unión PN.
* Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un [[dieléctrico]].
Línea 61:
=== Emisor común ===
[[Archivo:NPN common emitter.svg|thumb|100px|Emisor común.]]
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada
En caso de tener resistencia de emisor, R<sub>E</sub> > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se aproxima bastante bien por la siguiente expresión:
<math>G_V = -\frac {R_C}{R_E}</math> ; y la impedancia de salida, por R<sub>C</sub>
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