Diferencia entre revisiones de «Dopaje (semiconductores)»
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== Historia ==
El dopaje fue desarrollado originalmente por [[John Robert Woodyard]] mientras trabajaba para la [[Sperry Gyroscope Company]] durante la [[Segunda Guerra Mundial]].<ref>Patente US No.2,530,110, llenada, 1944, otorgada 1950</ref> La demanda de su trabajo sobre el [[radar]] durante la guerra no le permitió a Woodyard la oportunidad de desarrollar más profundamente la investigación sobre dopaje, pero durante la posguerra, ésta generó una larga serie de demandas iniciadas por la companía [[Sperry Rand]] cuando se conoció su importante aplicación en la fabricación de transistores.<ref>{{ cita web | autor=Morton, P. L. ''et al.'' | url=http://content.cdlib.org/xtf/view?docId=hb4d5nb20m&doc.view=frames&chunk.id=div00182&toc.depth=1&toc.id=&brand=oac | año=1985 | obra=Universidad de California: En memoria | título=John Robert Woodyard, Ingeniero eléctrico: Berkeley | fechaarchivo=2007-08-12 }}▼
▲].<ref>Patente US No.2,530,110, llenada, 1944, otorgada 1950</ref> La demanda de su trabajo sobre el [[radar]] durante la guerra no le permitió a Woodyard la oportunidad de desarrollar más profundamente la investigación sobre dopaje, pero durante la posguerra, ésta generó una larga serie de demandas iniciadas por la companía [[Sperry Rand]] cuando se conoció su importante aplicación en la fabricación de transistores.<ref>{{ cita web | autor=Morton, P. L. ''et al.'' | url=http://content.cdlib.org/xtf/view?docId=hb4d5nb20m&doc.view=frames&chunk.id=div00182&toc.depth=1&toc.id=&brand=oac | año=1985 | obra=Universidad de California: En memoria | título=John Robert Woodyard, Ingeniero eléctrico: Berkeley | fechaarchivo=2007-08-12 }}
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