Las microondas pueden ser fgkuyhfk<ayscfusaycsauyfasyfcusayfuaysfcuyasfcdegeneradas de varias maneras, generalmente divididas en dos categorías: dispositivos de estado sólido y dispositivos basados en tubos de vacío. Los dispositivos de estado sólido para microondas están basados en semiconductores de silicio o arsenuro de galio, e incluyen [[Transistor de efecto campo|transistores de efecto campo]] (FET), [[transistor bipolar|transistores de unión bipolar]] (BJT), [[Diodo Gunn|diodos Gunn]] y [[Diodo IMPATT|diodos IMPATT]]. Se han desarrollado versiones especializadas de transistores estándar para altas velocidades que se usan comúnmente en aplicaciones de microondas.
Los dispositivos basados en tubos de vacío operan teniendo en cuenta el movimiento balístico de un electrón en el vacío bajo la influencia de campos eléctricos o magnéticos, entre los que se incluyen el [[magnetrón]], el [[Klistrón]], el [[TWT]] y el [[girotrón]].
