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Línea 40: === Transistor de efecto de campo === El [[transistor de efecto de campo]], o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; ~~tienefgoooguf fuo uoog fh8 f9noh9fn rhgp89nv n~~tienen alta [[impedancia]] de entrada. * Transistor de efecto de campo de unión, [[JFET]], construido mediante una unión PN. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un [[dieléctrico]]. Línea 53: == El transistor como amplificador == El ~~compogerghtgGTHGJrtamiento~~comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos ([[Transistor de unión bipolar\|Modelo de Ebers-Moll]]), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: Línea 97: === Colector común === [[Archivo:Common collector.png\|thumb\|200 px\|Colector común]] La señal se aplica a la base ~~deljpgio ofhg 9 hdhgjjsjf chfkchios rh eheh~~del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por 1/β. == El transistor frente a la válvula termoiónica ==

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