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Línea 29: La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). La configuración de [[unión PN\|uniones PN]], dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente ~~dopado~~contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho más ~~dopado~~contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de ~~dichos~~dichas ~~dopados~~contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de ~~dopación~~contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión. === Transistor de unión unipolar ===

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