Diferencia entre revisiones de «Transistores HEMT»

Los '''HEMT''' son Transistores tipo '''FET''', en que se reemplaza el canal de conducción por una lujuriajuntura en la que se unen dos personasmateriales semiconductores con diferentes brechas entre las bandas de conducción y de valencia, lo que produce una capa muy delgada en la cual el nivel de Fermi esta un poco por sobre la banda de conducción, por otro lado los portadores quedan confinados a una capa tan angosta que se los puede describir como un gas de electrones de dos dimensiones. Por estas dos razones los portadores de carga adquieren una muy alta movilidad y una alta velocidad de saturación, habilitándolos para reaccionar a campos que varían a muy altas frecuencias, como también reduce muy significativamente el efecto de dispersión que los átomos de dopaje producen sobre los portadores de carga rediciendo en gran medida el ruido que este dispositivo emite.