Diferencia entre revisiones de «Semiconductor»

El propósito del [[Dopaje (semiconductores)|dopaje]] tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del [[silicio]], un átomo tetravalente (típicamente del grupo IVA de la [[tabla periódica]]) de los átomos vecinos se le une completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene [[carga eléctrica|eléctricamente neutro]] en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los ''[[portadores mayoritarios]]'', mientras que los electrones son los ''[[portadores minoritarios]]'' en los materiales tipo P. Los [[diamante]]s azules (tipo IIb), que contienen impurezasRARAAAAAimpurezas de [[boro]] (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.