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Línea 26: [[Archivo:Semiconductor intrinseco.png\|right]] === Semiconductores intrínsecos === Un cristal de [[silicio]] forma una estructura [[Tetraedro\|tetraédrica]] similar a la del [[carbono]] mediante [[enlace covalente\|enlaces covalentes]] ~~esto es falso...~~ entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la [[banda de conducción]], dejando el correspondiente '''[[hueco de electrón\|hueco]]''' en la [[banda de valencia]] (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el [[silicio]] y el [[germanio]] respectivamente. Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden ''caer'' desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas '''n'''egativas) y "p" la concentración de huecos (cargas '''p'''ositivas), se cumple que:<br />

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