Diferencia entre revisiones de «Microondas»
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[[Archivo:Microwave tower silhouette-2.jpg|thumb|Torre de telecomunicaciones mediante microondas en [[Wellington]] [[Nueva Zelanda]]. El rango de frecuencias de microondas es utilizada para transmisiones de [[televisión]] (500 – 900 MHz, dependiendo de los países) o [[telefonía móvil]] (850 – 900 MHz y 1800 – 1900 MHz).]]
Se denomina '''microondas''' a las [[onda electromagnética|ondas electromagnéticas]] definidas en un rango de frecuencias determinado; generalmente de entre 300 [[MHz]] y 300 [[GHz]], que supone un [[período de oscilación]] de 3 [[segundo|ns]] (3×10<sup>-9</sup> s) a 3 ps (3×10<sup>-12</sup> s) y una [[longitud de onda]] en el rango de 1 [[metro|m]] a 1 [[mm]]. Otras definiciones, por ejemplo las de los estándares [[Comisión Electrotécnica Internacional|IEC]] 60050 y [[IEEE]] 100 sitúan su rango de frecuencias entre 1 GHz y 300 GHz, es decir, longitudes de onda de entre 1 cm a 100 micrometros
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== Generación ==
Las microondas pueden ser generadas de varias maneras, generalmente divididas en dos categorías: dispositivos de estado sólido y dispositivos basados en tubos de vacío. Los dispositivos de estado sólido para microondas están basados en semiconductores de silicio o arsenuro de galio, e incluyen [[Transistor de efecto campo|transistores de efecto campo]] (FET), [[transistor bipolar|transistores de unión bipolar]] (BJT), [[Diodo Gunn|diodos Gunn]] y [[Diodo IMPATT|diodos IMPATT]]. Se han desarrollado versiones especializadas de transistores estándar para altas velocidades que se usan comúnmente en aplicaciones de microondas.
Los dispositivos basados en tubos de vacío operan teniendo en cuenta el movimiento balístico de un electrón en el vacío bajo la influencia de campos eléctricos o magnéticos, entre los que se incluyen el [[magnetrón]], el [[Klistrón]], el [[TWT]] y el [[girotrón]].
== Usos ==
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