Diferencia entre revisiones de «Semiconductor»
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Un '''semiconductor''' es una [[sustancia]] que se comporta como [[conductor eléctrico|conductor]] o como [[aislante eléctrico|aislante]] dependiendo de la temperatura del ambiente en el que
se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la [[Tabla periódica de los elementos|tabla periódica]] se indican en la tabla adjunta.
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Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como ''material donante'' ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del [[Semiconductor tipo N|dopaje tipo n]] es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el [[Dopaje (semiconductores)|dopaje]] tipo n considérese el caso del [[silicio]] (Si). Los átomos del silicio tienen una [[valencia atómica]] de cuatro, por lo que se forma un [[enlace covalente]] con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. [[fósforo (elemento)|fósforo]] (P), [[arsénico]] (As) o [[antimonio]] (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los ''[[portadores mayoritarios]]'' y los huecos son los ''[[portadores minoritarios]]''. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material [[Dopaje (semiconductores)|dopado]] tipo N generalmente tiene una [[carga eléctrica]] neta final de cero....
==== Semiconductor tipo P ====
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