Diferencia entre revisiones de «Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor»

Fue ideado teóricamente por el alemán [[Julius von Edgar Lilienfeld]] en 1930, aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar correctamente, la [[intercara]] entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnología del silicio.

Esto es puro rollo.

 

== Funcionamiento ==