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Diferencia entre revisiones de «Magnetorresistencia»

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Las investigaciones recientes han permitido descubrir materiales que presentan [[magnetorresistencia gigante]] (''Giant Magnetoresistance Effect'', o GMR), magnetorresistencia colosal (''Colossal Magnetoresistance'' o CMR) y magnetorresistencia de efecto túnel (''Tunnel Magnetoresistance Effect'' o TMR). Tanto la MR como la GMR se basan en el espín de los [[electrón|electrones]] y por eso forman parte de la espintrónica.
 
Los ordenadores actuales hacen uso de esta propiedad. Los discos duros utilizan bien magnetoresistencia, bien magnetoresistencia gigante. Las cabezas lectoras de los discos duros están compuestas por un grupo de elementos tal que su resistencia eléctrica depende del campo magnético.<ref name=eemUsach>{{obra citada |url=http://fisica.usach.cl/sites/fisica/files/mascaro_rivera_pablo_antonio.pdf |título=La evoluciónOptimización de Pimagnetorresistencia y efecto hall conen elpelículas tiempomagnéticas. |fechaacceso=29 de julio de 2018|página=31|autor=Pablo Antonio Mascaró Rivera}}</ref> Los “[[bit]]s” en un disco duro se guardan como un pequeño imán. La cabeza de lectura eléctrica (MR) tiene una resistencia eléctrica que varía cuando pasa por encima del “pequeño imán” que es un bit. Por tanto, cuando un bit pasa por debajo de la cabeza lectora hay una variación de la resistencia que puede detectarse fácilmente.
 
[[Categoría:Fenómenos electromagnéticos]]
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