Diferencia entre revisiones de «Transistor de efecto campo»
Contenido eliminado Contenido añadido
Sin resumen de edición |
|||
Línea 23:
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), también denominado HFET (''heterostructure FET''), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
* Los '''[[MODFET]]''' (''Modulation-Doped Field Effect Transistor'')
* Los '''[[IGBT]]''' (''Insulated-gate bipolar transistor'') es un dispositivo para control de potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los [[Power MOSFET]] todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a
* Los '''[[FREDFET]]''' es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.
| |||