Diferencia entre revisiones de «Proceso Czochralski»
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El '''proceso''' o '''método de Czochralski''' consiste en un procedimiento para la obtención de [[lingote]]s [[monocristal]]inos. Fue desarrollado por un científico polaco llamado [[Jan Czochralski]].
Este método es utilizado para la obtención de [[silicio]] monocristalino mediante un [[cristal]] semilla depositado por un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria [[electrónica]] para la obtención de ''
El método consiste en tener un crisol que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo [[germanio]]. La temperatura se controla para que esté justamente por encima del [[punto de fusión]] y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, éste se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la [[fusión por zonas]] para purificarlo.
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