Diferencia entre revisiones de «Proceso Czochralski»
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Este proceso se realiza normalmente en una atmósfera inerte, como argón, y en una cámara inerte, como cuarzo.
Ventajas.
El crecimiento de una superficie libre (tan opuesta a la solidificación en una configuración confinada) acomoda la expansión volumétrica sin mayor problema, esto elimina complicaciones que podrían surgir cuando el fundente moje el contenedor.
Por este método se pueden obtener monocristales grandes a altas velocidades. Actualmente el diámetro de los cristales puede variarse cambiando los parámetros térmicos. También puede alcanzarse alta perfección cristalina.
Limitaciones
A pesar de que el crecimiento Czochralski puede llevarse a cabo bajo presiones moderadas, éste no se presta para el crecimiento de materiales cuya presión de vapor o cuando uno de sus constituyente sea alto en el punto de fundición.
Las dificultades primarias están asociadas con problemas del manejo de la rotación y el jalado del cristal y con los requerimientos de la configuración térmica para mantener el equilibrio termodinámico entre el vapor y el fundente.
Requerir un crisol en crecimiento Czochralski presenta peligro de contaminar el fundente. Además que este método no se presta para crecimiento continuo.
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