Diferencia entre revisiones de «Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor»
Contenido eliminado Contenido añadido
Se agrega sección para la estructura; imagen desde Wiki en inglés |
Se agrega imagen con las curvas del transistor (antes no había ninguna curva en el artículo) |
||
Línea 80:
=== Modos de operación ===
[[file:IvsV mosfet.svg|thumb|Corriente de drenador vs. tensión drenador-surtidor para distintos valores de <math>V_{GS}-V_{th}</math>; el límite entre la región ''lineal'' (''óhhmica'') y la región de ''saturación'' (''activa'') se indica por la parábola en rojo.]]
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusión se utiliza un modelo algebraico que es válido para las tecnologías básicas antiguas, y se incluye aquí con fines didácticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un comportamiento mucho más complejo.
| |||