Metal-aislante-metal
El diodo metal-aislante-metal (MIM. por sus siglas en inglés) es un tipo de dispositivo no lineal muy similar a un diodo semiconductor y capaz de funcionar a gran velocidad. Dependiendo de la geometría y del material utilizado para su fabricación, los mecanismos de funcionamiento se rigen por el efecto túnel cuántico o por la activación térmica.[1]
En 1948, Torrey et al. afirmaron que "debería ser posible fabricar rectificadores de metal-aislante-metal con resistencias de dispersión mucho menores que las de los rectificadores de metal-semiconductor, lo que proporcionaría una mayor eficacia de rectificación a altas frecuencias".[2] Pero debido a las dificultades de fabricación, pasaron dos décadas antes de que se pudiera crear con éxito el primer dispositivo. Algunos de los primeros diodos MIM que se fabricaron procedían de los laboratorios Bell a finales de los 60 y principios de los 70[3]Brinkman et al. demostraron el primer diodo MIM de tunelización de polarización cero con una respuesta significativa. Al utilizar transporte por efecto túnel, el diodo MIM puede ser muy rápido. Ya en 1974, este diodo se utilizó como mezclador a 88 THz en una instalación del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología.[4] Gracias a recientes investigaciones, la responsividad de polarización cero del diodo MIM (15 A/W) está ahora muy próxima a la del diodo Schottky (19,4 A/W).[5]
Hoy en día, el diodo MIM es la piedra angular de los desarrollos de nantenas. Los fabricantes de pantallas planas también los utilizan como diodos de capa fina.
A diferencia de los diodos MIM, los diodos metal-aislante-aislante-metal (MIIM) tienen dos capas aislantes.
Véase también editar
Referencias editar
- ↑ S. Hemour and W. Ke, "Radio-Frequency Rectifier for Electromagnetic Energy Harvesting: Development Path and Future Outlook", Proceedings of the IEEE, vol. 102, pp. 1667–1691, 2014.
- ↑ Torrey, Henry C.; Whitmer, Charles A. (1948). «4-1: Barrier-layer Rectification». Crystal Rectifiers. Radiation Laboratory Series. New York: McGraw-Hill Book Company. p. 70. LCCN 48005551. OCLC 2207503. HathiTrust 001618319.
- ↑ W. F. Brinkman, R. C. Dynes, and J. M. Rowell, "Tunneling Conductance of Asymmetrical Barriers", Journal of Applied Physics, vol. 41, pp. 1915–1921, 1970.
- ↑ E. Sakuma and K. Evenson, "Characteristics of tungsten-nickel point contact diodes used as laser harmonic-generator mixers", IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 10, pp. 599–603, 1974.
- ↑ M. L. Chin, P. Periasamy, T. P. O'Regan, M. Amani, C. Tan, R. P. O'Hayre, et al., "Planar metal-insulator-metal diodes based on the Nb/Nb2O5/X material system", Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol. 31, pp. 051204-1–051204-8, 2013.
Enlaces externos editar
- New diode features optically controlled capacitance
- Optical control of capacitance in a metal-insulator-semiconductor diode with embedded metal nanoparticles
- Esta obra contiene una traducción derivada de «Metal–insulator–metal» de Wikipedia en inglés, concretamente de esta versión, publicada por sus editores bajo la Licencia de documentación libre de GNU y la Licencia Creative Commons Atribución-CompartirIgual 4.0 Internacional.
Datos: Q25312763
