Diferencia entre revisiones de «Transistor»

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense [[Westinghouse Electric|Westinghouse]]. Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de [[Detector de bigotes de gato|rectificadores de cristal]] de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la [[Segunda Guerra Mundial]]. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la «interferencia» que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado «transistron» para su uso en la red telefónica de Francia.<ref>{{Cita web|url=http://www.computerhistory.org/siliconengine/the-european-transistor-invention/|título=1948: The European Transistor Invention|fechaacceso=7 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=Computer History Museum}}</ref> El 26 de junio de 1948, [[William Bradford Shockley|Wiliam Shockley]] solicitó la patente del transistor bipolar de unión<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2569347.pdf|título=Patent US2569347: Circuit element utilizing semiconductive material|fechaacceso=30 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref> y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2744970.pdf|título=Patent US2744970: Semiconductor signal translating devices|fechaacceso=13 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref> tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,<ref>{{cita publicación|url=http://www.nap.edu/read/18477/chapter/13|título=GEORGE C. (CLEMENT) DACEY|fecha=2013|publicación=Memorial Tributes|editorial=The National Academies Press|volumen=17|fechaacceso=14 de marzo de 2016|idioma=inglés|doi=10.17226/18477|apellidos1=Robinson|nombre1=C. Paul}}</ref> cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2778956.pdf|título=Patent US2778956: Semiconductor signal translating devices|fechaacceso=13 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref> Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente como [[transistor Darlington]].<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2663806.pdf|título=Patent US2663806: Semiconductor signal translating device|fechaacceso=30 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref>

 

 

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero de 1954 por el químico Morris Tanenbaum.<ref>{{Cita web|url=http://www.computerhistory.org/siliconengine/silicon-transistors-offer-superior-operating-characteristics/|título=1954: Silicon Transistors Offer Superior Operating Characteristics|fechaacceso=7 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=Computer History Museum}}</ref> El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos semiconductores.<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2861018.pdf|título=Patent US2861018|fechaacceso=7 de marzo de 2014|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref> El primer transistor de silicio comercial fue producido por [[Texas Instruments]] en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza.<ref>{{Cita web|url=http://spectrum.ieee.org/biomedical/devices/the-lost-history-of-the-transistor|título=The lost history of the transistor|fechaacceso=7 de marzo de 2016|enlaceautor=|apellido=Riordan|nombre=Micheal|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=IEEE Spectrum}}</ref> El primer transistor [[MOSFET]] fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.<ref>{{Cita web|url=https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US3102230.pdf|título=Patent US3102230|fechaacceso=7 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=United States Patent Office}}</ref><ref>{{Cita web|url=http://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|título=1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|fechaacceso=7 de marzo de 2016|autor=|enlaceautor=|fecha=|idioma=inglés|sitioweb=|editorial=Computer History Museum}}</ref>