Diferencia entre revisiones de «SDRAM»
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DDR4 es el sucesor de DDR3, revelado en el foro de desarrollo Intel en 2008, y su lanzamiento es inminente 2012. Se espera que DDR4 alcance el mercado masivo sobre el 2015, lo que es comparable a los cinco años que llevó la transición de DDR2 a DDR3.
Se espera que los nuevos chips tengan una alimentación de 1,2 [[Voltio|V]] o menos,<ref>[http://www.pcpro.co.uk/news/220257/idf-ddr3-wont-catch-up-with-ddr2-during-2009.html Looking forward to DDR4]</ref><ref>[http://www.heise-online.co.uk/news/IDF-DDR4-the-successor-to-DDR3-memory--/111367 DDR3 successor]</ref> contra los 1,5 V de DDR3, y tasas de datos de hasta 2 GB/s. Se espera que inicialmente tengan frecuencias de bus de 2133 MHz, pero con potencial estimado de llegar hasta los 4266 MHz<ref>{{cita web|url=http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20100816124343_Next_Generation_DDR4_Memory_to_Reach_4_266GHz_Report.html|título=Next-Generation DDR4 Memory to Reach 4.266GHz - Report|fecha=16 de agosto de 2010|editorial=Xbitlabs.com|fechaacceso=3 de enero de 2011}}</ref> y bajar el voltaje hasta 1,05 V<ref>{{cita noticia|url=http://www.hardware-infos.com/news.php?news=2332|título=IDF: DDR4 memory targeted for 2012|editorial=hardware-infos.com|idioma=
Al contrario que en los anteriores desarrollos, DDR4 no incrementará en ancho de las lecturas, que seguirá siendo de 8 bytes como en DDR3,<ref name="jedec_ddr3_ddr4">{{
En febrero de 2009 [[Samsung]] validó los chips DRAM de 40 [[nanómetro|nm]], considerados un avance significativo hacia el desarrollo de DDR4,<ref>{{cita noticia|url=http://www.tgdaily.com/content/view/41316/139/|título=Samsung hints to DDR4 with first validated 40 nm DRAM|apellido=Gruener|nombre=Wolfgang|fecha=4 de febrero de 2009|editorial=tgdaily.com|fechaacceso=16 de junio de 2009}}</ref> mientras que los chips actuales comienzan a migrarse a 50 nm.<ref>{{cita web|url=http://www.dailytech.com/DDR3+Will+be+Cheaper+Faster+in+2009/article13977.htm|título=DDR3 Will be Cheaper, Faster in 2009|apellido=Jansen|nombre=Ng|fecha=20 de enero de 2009|editorial=dailytech.com|fechaacceso=17 de junio de 2009}}</ref> En enero de 2011 Samsung anunció la finalización y liberación para pruebas de un módulo RAM DDR4 de 30 nm de 2 GB, con un ancho de banda máximo de 2,13 Gb/s a 1,2 V, y usando tecnología pseudo - drenador abierto que gasta un 40% menos que un módulo DDR3 equivalente.<ref>{{cita web|título=Samsung Develops Industry's First DDR4 DRAM, Using 30nm Class Technology|url=http://www.samsung.com/us/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1202|editorial=Samsung|fechaacceso=13 de marzo de 2011|fecha=4 de enero de 2011}}</ref><ref>http://www.techspot.com/news/41818-samsung-develops-ddr4-memory-up-to-40-more-efficient.html</ref>
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