Diferencia entre revisiones de «Transistor de efecto campo»
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== Tipo de transistores de efecto campo ==
[[Archivo:Comparison between field-effect transistors.svg|thumb|300px|Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo]]
El canal de un FET es [[Dopaje (semiconductores)|dopado]] para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenaje y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del MOSFET de
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta:
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* Los '''[[Transistor de ADN de efecto de campo|DNAFET]]''' es un tipo especializado de FET que actúa como [[biosensor]], usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.
* Los [[TFT]], que hacen uso de [[silicio amorfo]] o de [[silicio policristalino]].
== Características ==
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